WWW.NET.KNIGI-X.RU
БЕСПЛАТНАЯ  ИНТЕРНЕТ  БИБЛИОТЕКА - Интернет ресурсы
 

«Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-УПИ» ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике для ...»

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-УПИ»

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике

для студентов всех форм обучения всех специальностей

Екатеринбург 2006

УДК 53 (075.8)

Составитель А.А.Повзнер

Научный редактор профессор,д.ф.-м.н. Ф.А.Сидоренко

ПОЛУПРОВОДНИКИ: Вопросы для программированного контроля по физике

для студентов всех форм обучения всех специальностей /А.А.Повзнер.

Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2006. 33с.

Приведены варианты тестов по разделу «Полупроводники», изучаемому в курсе общей физики. Тесты соответствуют действующей рабочей программе по физике.

Подготовлено кафедрой физики.

Рукопись редактирована и подготовлена к изданию с помощью электронных настольных издательских систем в Региональном Центре Новых Информационных Технологий УГТУ-УПИ © ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет – УПИ», 2006

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике, 2006

1.1. Верно ли, что...

1... концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике одинаковы?

2... электропроводность полупроводника возрастает с температурой?

4... концентрация носителей заряда зависит от ширины запрещенной зоны?

8... при внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электрона из валентной зоны переходят в зону проводимости?



На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

1.2. На рисунке изображены зависимости логарифмов удельной электропроводности собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с наибольшей шириной запрещенной зоны?

1.3. На какой вопрос о примесном полупроводнике Вы ответили "нет"?

1 Зависит ли электропроводность примесного полупроводника от температуры?

2 Заполнены ли донорные уровни в примесном полупроводнике n - типа при Т = ОК?

4 Заполнены ли акцепторные уровни в примесном полупроводнике р - типа при Т = ОК?

8 Изменяется ли электропроводность чистого полупроводника после введения донорных примесей?

1.4. Донорный уровень расположен на энергетическом расстоянии 0,05 эВ от дна зоны проводимости примесного полупроводника n - типа. При какой наименьшей энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект?

1 0,05 эВ. 2 0,10 эВ.

8 0,15 эВ.

4 0,025 эВ.

1.5. В электрическую цепь включен полупроводниковый диод. Направления r внешнего электрического поля E указано стрелкой.

Верно ли, что...

–  –  –

1.6. Укажите значение удельного электросопротивления собственного полупроводника, если концентрация носителей тока n = 2,510+19 м-3, а подвижности электронов и дырок равны соответственно uе = 0,36 м2/Вс, uз = 0,14 м2/Вс 1 0,25 Омм 2 0,50 Омм

-3 8 0,25103 Омм 4 0,5010 Омм Модуль заряда электронов и дырок |е| = 1,610-19 Кл.

Составил А.А.Повзнер © УГТУ-УПИ, 2006 г.

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике, 2006

2.1. Верно ли, что...

1... удельное электросопротивление полупроводника уменьшается при увеличении температуры?

2... носителями заряда в собственном полупроводнике являются электроны и дырки?





4... логарифм электропроводности собственного полупроводника (ln) уменьшается при увеличении обратной температуры (1/Т) по 8... минимальная энергия фотонов, необходимая для возникновения внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике равна ширине запрещенной зоны?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

–  –  –

2.3. Какое из приведенных ниже соотношений для концентраций электронов (Ne) и дырок (Np) соответствует примесному полупроводнику с дырочной проводимостью?

1 Ne Np 2 Ne Np 4 Np Ne 8 Ne = Np

2.4. На какие вопросы о p-n переходе Вы ответили "да"?

Укажите сумму их номеров.

1 Можно ли утверждать, что p-n и n-p переходы обладают выпрямляющим действием?

2 Отличается ли концентрация носителей тока в p-n переходе от концентрации в контактирующих p- и n - полупроводниках?

4 Возникает ли отличное от нуля электрическое поле в p-n переходе?

8 Будет ли увеличиваться ширина p-n перехода l при включении внешнего электрического поля в пропускном (прямом) направлении?

2.5. Во сколько раз длина волны красной границы внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике с шириной зоны Еg отличается от ее значения в собственном полупроводнике с шириной зоны 4Еg?

1 В 4 раза больше. 2 В 4 раза меньше.

4 В 16 раз больше. 8 В 2 раза меньше.

Укажите номер правильного ответа.

2.6. Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если логарифм отношения его электропроводности 1 при Т1 = 100 К к его электропроводности 2 при Т2 = 200 К равен -3 (ln 1 2 = -3)?

1 16,5610-21 Дж 2 8,2810-19 Дж 4 16,5610-23 Дж 8 8,2810-21 Дж Укажите номер правильного ответа.

Коэффициент Больцмана Кб = 1,3810-23 Дж/К.

Составил А.А.Повзнер © УГТУ-УПИ, 2006 г.

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике, 2006

3.1. Укажите сумму номеров вопросов, на которые Вы ответили утвердительно.

1 Изменится ли электропроводность полупроводника после введения донорных примесей?

2 Изменяется ли концентрация носителей тока в полупроводнике при изменении температуры?

4 Зависит ли энергетическое расстояние между донорным примесным уровнем и дном зоны проводимости от температуры?

8 Запрещены ли акцепторные примесные уровни при Т = 0К?

–  –  –

3.3. Какие элементы нужно ввести в кристаллическую решетку валентного кремния, чтобы получить полупроводник n - типа?

1 Пятивалентный мышьяк.

2 Трехвалентный индий.

4 Трехвалентный бор.

8 Пятивалентный фосфор.

Укажите сумму номеров правильных ответов.

3.4. Верно ли, что...

1... в области p-n - перехода существует внутреннее электрическое поле?

2... электроны и дырки в области p-n - перехода рекомбинируют (воссоединяются)?

4... сопротивление p-n - перехода изменяется при изменении направления внешнего электрического поля?

8... концентрации дырок в контактирующих n -, p - полупроводниках и в области p-n - перехода разные?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

3.5. На рисунке приведены вольт-амперные характеристики полупроводникового диода.

Укажите номер графика, соответствующего характеристике диода находящегося при самой низкой температуре.

3.6. Укажите значение концентрации носителей тока в собственном полупроводнике, если его удельное электросопротивление = 0,50 Ом 77 0м, а подвижность электронов и дырок равны соответственно ue = 0,36 м2/Вс, up = 0,14 м2/Вc 1 2,51019 м-3 2 51020 м-3 4 2,51015 м-3 8 51025 м-3 Модуль заряда электронов и дырок e = 1,610-19 Кл.

Составил А.А.Повзнер © УГТУ-УПИ, 2006 г.

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике, 2006

4.1. Укажите ошибочное утверждение.

1 Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости означает его переход из связанного состояния в свободное.

2 В собственном полупроводнике при абсолютном нуле температур отсутствуют носители электрического тока.

4 В кристаллической решетке собственного полупроводника отсутствуют примесные атомы.

8 Носителями заряда в зоне проводимости собственного полупроводника являются дырки.

–  –  –

4.3. Зависит ли концентрация носителей заряда в полупроводниках от...

1... температуры?

2... ширины запрещенной зоны?

4... ширины зоны проводимости?

8... ширины валентной зоны?

На какие вопросы Вы ответили "нет"?

Укажите сумму их номеров.

4.4. При увеличении температуры, концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике возросла в 20 раз, а подвижности электронов и дырок в 1,5 раза. Как изменилась удельная электропроводность полупроводника?

1 Возросла в 30 раз. 2 Уменьшилась в 30 раз.

8 Увеличилась в 60 раз.

4 Осталась неизменной.

–  –  –

4.6. Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если красная граница внутреннего фотоэффекта для данного полупроводника соответствует длине волны кр = 210-6 м?

1 0,9910-19 Дж. 2 0,99310-19 Дж.

4 1,98610-20 Дж. 8 0,09910-23 Дж.

Постоянная Планка h = 6,6210-34 Джс Скорость света в вакууме с = 3108 м/с.

Составил А.А.Повзнер © УГТУ-УПИ, 2006 г.

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г.

5.1. Верно ли, что...

1... ширина запрещенной зоны в полупроводнике меньше, чем в диэлектрике?

2... число актов рекомбинации (воссоединения электронов и дырок) увеличивается с увеличением температуры?

4... электропроводность полупроводника уменьшается при увеличении концентрации носителей заряда?

8... электропроводность полупроводников растет с увеличением температуры?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

–  –  –

5.3. Зависит ли концентрация дырок в примесном полупроводнике р - типа от...

1... температуры?

2... величины энергетического интервала между акцепторным уровнем и валентной зоной?

4... ширины зоны проводимости?

8... ширины валентной зоны?

На какие вопросы Вы ответили "да"?

Укажите сумму их номеров.

5.4. Ниже приведены значения энергии активации четырех собственных полупроводников 1 Еg = 0,25 эВ. 2 Еg = 0,50 эВ.

4 Еg = 0,10 эВ. 8 Еg = 0,15 эВ.

Какому из этих полупроводников соответствует максимальное значение длины волны красной границы внутреннего фотоэффекта?

Укажите его номер.

5.5. Верно ли, что...

1... p-n переход обладает выпрямляющим действием?

2... концентрация носителей заряда в p-n переходе зависит от температуры?

4... внутреннее поле в p-n переходе направлено в сторону области p полупроводника?

8... ширина области p-n перехода зависит от направления внешнего электрического поля?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

5.6. Чему равна концентрация дырок в полупроводнике p - типа, если его удельное электросопротивление = 0,50 Омм, а подвижность дырок Up= 0,50 м2/Вс?

1 51020 м-3. 2 2,51019 м-3.

4 51025 м-3. 8 2,51029 м-3.

Заряды дырок е = 1,610-19 Кл.

–  –  –

6.1. Верно ли, что...

1... удельная электропроводность полупроводника возрастает при увеличении температуры?

2... при внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости?

4... концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике увеличиваются с ростом температуры?

8... зона проводимости полупроводника при Т = ОК не заполнена электронами?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

–  –  –

6.3. Какое из приведенных ниже соотношений для концентраций электронов (ne) и дырок (np) соответствует примесному полупроводнику n -типа?

1 ne np 2 n 4p 7 0 n 4e 4 n 4e 0 = n 4p 0 8 n 4e 0 n 4p

–  –  –

6.6. Чему равно удельное электросопротивление полупроводника p - типа, если концентрация дырок np=2,51019м-3, а подвижность дырок up=0,50м2/Вс?

2 0,50106 Омм.

1 0,50 Омм.

8 0,25106 Омм.

4 0,25 Омм.

Заряды дырок равны 1,610-19 Кл.

–  –  –

7.1. Укажите ошибочное утверждение.

1 Концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике растет с увеличением температуры.

2 При внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости.

4 Электропроводность полупроводника уменьшается с увеличением концентрации носителей заряда.

8 Электропроводность полупроводника зависит от ширины запрещенной зоны.

–  –  –

7.5. Акцепторный уровень расположен на расстоянии 0,025 эВ от потолка валентной зоны полупроводника p - типа. При какой минимальной энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект?

1 0,050 эВ. 2 0,025 эВ.

8 0,1 эВ.

4 0,075 эВ.

7.6. Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если логарифм отношения его электропроводности 1 при температуре Т1 = 200 К к электропроводности 2 при Т2 = 400 К равен -2 ( ln 1 2 = 2 )?

1 22,0810-21 Дж. 2 11,0410-23 Дж.

4 11,0410-20 Дж. 8 22,0810-23 Дж.

Коэффициент Больцмана КБ = 1,3810-23 Дж/К.

Составил А.А.Повзнер © УГТУ-УПИ, 2006 г.

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г.

8.1. Укажите ошибочное утверждение.

1 Носителями тока в валентной зоне собственного полупроводника являются дырки.

2 Концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике совпадают.

4 Минимальная энергия, необходимая для рождения пары электрон - дырка в собственном полупроводнике равна половине ширины запрещенной зоны.

8 В собственном полупроводнике при абсолютном нуле температур отсутствуют носители электрического тока.

–  –  –

8.3. Зависит ли концентрация носителей тока в примесных полупроводниках от...

1... ширины валентной зоны и тоны проводимости?

2... энергетического расстояния между частично заполненным электронами донорным уровнем и зоной проводимости?

4... температуры?

8... энергетического расстояния между частично заполненным акцепторным уровнем и валентной зоной?

На какие вопросы Вы ответили "да"?

Укажите сумму их номеров.

8.4. Акцепторный уровень расположен на энергетическом расстоянии 0,05 эВ от потолка валентной зоны примесного полупроводника p - типа. При какой наименьшей энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект?

1 0,050 эВ. 2 0,025 эВ.

4 0,100 эВ. 8 0,150 эВ.

8.5. Верно ли, что...

1... концентрация носителей тока в p-n переходе меньше, чем в контактирующих p - и n - полупроводниках?

2... p-n переход обладает выпрямляющим действием?

4... электроны и дырки в области p - n перехода рекомбинируют (воссоединяются)?

8... в области p-n перехода существует внутреннее электрическое поле?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров*

8.6. Укажите значение концентрации дырок в полупроводнике с дырочной проводимостью, если его удельная электропроводность = 2 Ом-1 м-1, а подвижность дырок Uз = 0,5 м2/Вс.

1 2,510-19 м-3 2 2,51015 м-3.

4 51020 м-3. 8 1021 м-3.

Заряд дырок qp = 1,610-19 Кл.

–  –  –

9.1. На какие вопросы Вы ответите "да"?

Укажите сумму их номеров.

1 Зависит ли энергетическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости от температуры?

2 Заполнены ли энергетические состояния валентной зоны электронами при Т = ОК?

4 Увеличивается ли концентрация носителей тока в собственном полупроводнике с увеличением температуры?

8 Совпадают ли концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике?

9.2. Какой элемент нужно ввести в кристаллическую решетку четырехвалентного крепления, чтобы получить полупроводник p - типа?

1 Трехвалентный бор.

2 Пятивалентный мышьяк.

4 Четырехвалентный германий.

8 Пятивалентный фосфор.

–  –  –

9.5. Верно ли, что...

1... ширина области p-n перехода зависит от направления внешнего электрического поля?

2... p-n переход обладает выпрямляющим действием?

4... внутреннее электрическое поле в p-n переходе направлено от p - к n полупроводнику?

8... концентрация носителей заряда в p - n переходе зависит от температуры?

Какое утверждение ошибочно? Укажите его номер.

9.6. Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если его красная граница внутреннего фотоэффекта соответствует длине волны кр = 610-6 м?

1 0,33110-19 Дж. 2 0,99310-20 Дж.

4 0,59510-20 Дж. 8 0,99310-14 Дж.

Постоянная Планка h = 6,621034 Джс Скорость света в вакууме с = 3108 м/с.

Составил А.А.Повзнер © УГТУ-УПИ, 2006 г.

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г.

10.1. Верно ли, что...

1... носителями заряда в собственном полупроводнике являются электроны и дырки?

2... концентрация носителей заряда зависит от ширины запрещенной зоны?

4... минимальная энергия фотонов необходимая для возникновения внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике равна ширине запрещенной зоны?

8... удельная электропроводность полупроводника увеличивается с увеличением температуры?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

–  –  –

10.3. Какие утверждения Вы считаете верными?

1 Электропроводность примесного полупроводника n - типа растет с увеличением температуры.

2 При увеличении температуры акцепторные уровни в полупроводнике p - типа заполняются электронами.

4 Вблизи абсолютного нуля температур донорные уровни полупроводника n - типа заняты электронами.

8 Концентрации дырок и электронов в примесных полупроводниках всегда совпадают.

Ответ запишите как сумму номеров правильных утверждений.

–  –  –

10.6. Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если логарифм от отношения его электропроводностей 1 при температуре Т1 = 200 К к электропроводности 2 при Т2 = 400 К равен (-3/2) ( ln 1 2 = 3 2 )?

1 8,2810-19 Дж. 2 16,5610-20 Дж.

4 16,5610-21 Дж. 8 8,2810-21 Дж.

Коэффициент Больцмана КБ = 0 1,3810-23 Дж/К.

Составил А.А.Повзнер © УГТУ-УПИ, 2006 г.

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г.

11.1. Верно ли, что...

1... ширина запрещенной зоны в полупроводнике больше, чем в диэлектрике?

2... акцепторные уровни примесного полупроводника p - типа при Т = 0 не заполнены электронами?

4... при внутреннем фотоэффекте в полупроводнике n - типа электроны переходят с донорного уровня в зону проводимости?

8... концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике совпадают?

На какие вопросы Вы ответили "Да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

–  –  –

11.6. Чему равна концентрация электронов в полупроводнике n - типа, если его удельное электросопротивление = 0,50 Омм, а подвижность электронов ue = 0,25 м2/Вс?

1 51019 м-3 2 12,51019 м3 4 2,51020 м-3 8 12,51018 м-3 Модуль заряда электрона е = 1,610-19 Кл.

–  –  –

12.1. На какие вопросы Вы ответили "да"?

1 Совпадают ли концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике?

2 Увеличивается ли концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике с увеличением температуры?

4 Зависит ли энергетическая ширина запрещенной зоны в собственном полупроводнике от температуры?

8 Увеличивается ли концентрация электронов в зоне проводимости собственного полупроводника при внутреннем фотоэффекте?

Ответ запишите, как сумму номеров вопросов, на которые Вы ответили утвердительно.

–  –  –

12.3. Какие элементы нужно ввести в кристаллическую решетку четырехвалентного кремния, чтобы получить полупроводник n - типа?

1 Пятивалентный фосфор.

2 Пятивалентный мышьяк.

4 Трехвалентный индий.

8 Трехвалентный бор.

Укажите сумму номеров правильных ответов.

–  –  –

12.6. Укажите значение подвижности дырок в примесном полупроводнике p - типа, если его удельное электросопротивление = 0,50 Oмм, а концентрация дырок np = 2,51019 м-3.

1 0,5 м2/Вс. 2 0,25 м2/Вс.

4 50 м2/Вс. 8 1,6 м2/Вс.

Заряды дырок принять равными 1,610-19 Кл.

–  –  –

13.1. Верно ли, что...

1... носителями тока в валентной зоне собственного полупроводника являются дырки, а в зоне проводимости электроны?

2... в собственном полупроводнике при абсолютном нуле температур отсутствуют носители электрического тока?

4... концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике равны?

8... минимальная энергия необходимая для образования пары электрон дырка в собственном полупроводнике равна энергетической ширине запрещенной зоны?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

13.2. Зависит ли концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках от...

1... ширины валентной зоны?

2... температуры?

4... энергетического расстояния между частично заполненным акцепторным уровнем и валентной зоной?

8... ширины зоны проводимости?

На какие вопросы Вы ответили "да"?

Укажите сумму их номеров.

–  –  –

13.5. Верно ли, что...

1... электроны и дырки в области p-n - перехода рекомбинируют?

r 2... при включении внешнего электрического поля E ширина p-n – перехода l не изменяется?

4... электросопротивление p-n - перехода в диоде много больше, чем электросопротивление контактирующих p- и n- полупроводников?

8... p-n - переход обладает выпрямляющим действием?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

13.6. Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если его красная граница внутреннего фотоэффекта соответствует длине волны кр = 3,97210-6 м?

1 10-19 Дж. 2 51020 Дж.

4 510-19 Дж. 8 10-20 Дж.

Постоянная Планка h = 6,6210-34 Джс.

Скорость света в вакууме с = 3108 м/с.

–  –  –

14.1. Верно ли, что...

1... концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике одинаковы?

2... удельная электропроводность полупроводника возрастает при увеличении температуры?

4... при внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны из валентной зоны переходят в зону проводимости?

8... концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике зависит от ширины запрещенной зоны?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

–  –  –

14.3. Какие элементы нужно ввести в кристаллическую решетку четырехвалентного германия, чтобы получить полупроводник p - типа?

1 Пятивалентный фосфор.

2 Трехвалентный индий.

4 Четырехвалентный кремний.

8 Трехвалентный бор.

Укажите сумму номеров правильных ответов.

–  –  –

14.6. Чему равна длина волны красной границы внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике, если ширина зоны запрещенных энергий Еg = 0,99310-19 Дж?

1 210-6 м. 2 410-6 м.

4 310-8 м. 8 9310-9 м.

Постоянная Планка h = 6,6210-34 Джс.

Скорость света в вакууме с = 3108 м/с.

–  –  –

15.1. Верно ли, что...

1... электропроводность полупроводника уменьшается с уменьшением концентрации носителей заряда?

2... концентрация носителей заряда в полупроводнике увеличивается с увеличением температуры?

4... электропроводность собственных полупроводников увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны (Еg)?

8... Электропроводность полупроводника возрастает при уменьшении температуры?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

–  –  –

15.3. Верно ли, что...

1... электропроводность полупроводника увеличивается после введения в него акцепторных примесей?

2... акцепторные уровни в полупроводнике p - типа при Т = ОК пусты?

4... концентрация электронов в полупроводнике p - типа больше, чем концентрация дырок?

8... донорные уровни в полупроводнике n - типа при Т = ОК заняты электронами полностью?

На какие вопросы Вы ответили "да, верно"?

Укажите сумму их номеров.

15.4. На рисунке приведены вольт-амперные характеристики полупроводникового диода.

Какому графику соответствуют характеристики диода, находящегося при самой высокой температуре?

15.5. Акцепторный уровень расположен на энергетическом расстоянии 0,025эВ от потолка валентной зоны полупроводника p - типа.

При какой минимальной энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект?

1 0,025 эВ. 2 0,050 эВ.

8 0,01 эВ.

4 0,075 эВ.

15.6. Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если логарифм отношения его электросопротивления при Т1 = 200 К(1) к его электросопротивлению при Т2 = 400 К() ln ( 1 2 ) ?

1 11,0410-23 Дж. 2 22,0810-23 Дж.

4 22,0810-19 Дж. 8 11,0410-20 Дж.

Коэффициент Больцмана КБ = 1,3810-23 Дж/К.

Составил А.А.Повзнер

Похожие работы:

«Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО "Уральский государственный технический университет – УПИ" Институт образовательных информационных технологий Методическое объединение вузовских библиотек Уральской...»








 
2017 www.net.knigi-x.ru - «Бесплатная электронная библиотека - электронные матриалы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.